Detalle del producto
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Atributo | Valor |
Fabricante: | en semiconductores |
Categoria de producto: | Transistores bipolares - BJT |
RoHS: | Detalles |
Estilo de montaje: | SMD/SMT |
Paquete / Caja: | SOT-23-3 |
Polaridad del transistor: | PNP |
Configuración: | Soltero |
Tensión colector-emisor VCEO máx.: | - 60 V |
Colector- Tensión base VCBO: | - 60 V |
Emisor- Tensión base VEBO: | 5 voltios |
Tensión de saturación colector-emisor: | - 1,6 V |
Corriente máxima del colector de CC: | 0,6 A |
Pd - Disipación de potencia: | 225 mW |
Producto de ganancia de ancho de banda fT: | 200 MHz |
Temperatura mínima de funcionamiento: | - 55C |
Temperatura máxima de funcionamiento: | + 150C |
Serie: | MMBT2907AL |
Embalaje: | Cortar cinta |
Embalaje: | ratóncarrete |
Embalaje: | Carrete |
Altura: | 0,94mm |
Longitud: | 2,9mm |
Tecnología: | Si |
Ancho: | 1,3 mm |
Marca: | en semiconductores |
Corriente continua del colector: | - 0,6A |
Colector de CC/ganancia base hfe min: | 75 |
Tipo de producto: | BJT - Transistores bipolares |
Cantidad del paquete de fábrica: | 3000 |
Subcategoría: | transistores |
Unidad de peso: | 0.001058 onzas |
Anterior: 2N7002LT1G Canal N 60V 115mA 2.5V 250uA 7.5Ω 500mA,10V 225mW SOT-23(SOT-23-3) MOSFET RoHS Próximo: MMBT4401LT1G NPN 600mA 40V 300mW SOT-23(SOT-23-3) Transistores bipolares – BJT RoHS