2N7002LT1G Canal N 60V 115mA 2.5V 250uA 7.5Ω 500mA,10V 225mW SOT-23(SOT-23-3) MOSFET RoHS

Breve descripción:

Pieza de fabricante: 2N7002LT1G
Fabricante: ON Semiconductor
Paquete: SOT-23 (SOT-23-3)
Descripción: MOSFET 60V 115mA Canal N
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Detalle del producto

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Parámetro del producto

Atributo	Valor
Fabricante:	en semiconductores
Categoria de producto:	MOSFET
RoHS:	Detalles
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Caja:	SOT-23-3
Polaridad del transistor:	Canal N
Número de canales:	1 canal
Vds - Tensión disruptiva drenaje-fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	115mA
Rds On - Resistencia drenaje-fuente:	7,5 ohmios
Vgs - Voltaje de puerta-fuente:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral puerta-fuente:	1 V
Temperatura mínima de funcionamiento:	- 55C
Temperatura máxima de funcionamiento:	+ 150C
Pd - Disipación de potencia:	300 mW
Modo de canal:	Mejora
Embalaje:	Cortar cinta
Embalaje:	ratóncarrete
Embalaje:	Carrete
Configuración:	Soltero
Altura:	0,94mm
Longitud:	2,9mm
Producto:	MOSFET pequeña señal
Serie:	2N7002L
Tipo de transistor:	1 canal N
Tipo:	MOSFET
Ancho:	1,3 mm
Marca:	en semiconductores
Transconductancia directa - Min:	80 ms
Tipo de producto:	MOSFET
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	40 ns
Tiempo típico de retardo de encendido:	20 ns
Unidad de peso:	0.000282 onzas